据国外媒体报道，周四，三星电子表示，已经开始量产3纳米芯片，这使其击败了竞争对手TSMC，成为全球首家量产3纳米芯片的代工厂。
根据消息显示，这款芯片此前预计在2021年上市，但已经推迟到今年该公司没有公布新芯片的产量和客户，但它表示，一旦产量稳定，该芯片将用于智能手机
虽然三星没有公布新芯片的客户，但韩国媒体报道称，新芯片的第一家客户是中国矿机芯片制造商PanSemi。
周四，三星电子表示，与5纳米芯片相比，3纳米芯片的性能提高了23%，功耗降低了45%，芯片面积减少了16%2023年即将推出的第二代3nm芯片，功耗可降低50%，性能提升30%，芯片面积减少35%
三星电子的3 nm工艺采用GAA技术，旨在增加芯片的晶体管密度，从而提高能效。
与目前最先进，最成熟的5nm和FinFET晶体管相比，GAA更先进，可以更精确地控制电流，栅宽更窄。
三星是全球最大的内存芯片制造商，也是第二大代工芯片制造商它正在与世界上最大的铸造公司TSMC竞争
2021年10月，三星电子曾宣布将于2022年上半年开始量产3 nm芯片，这一时间表将领先于TSMC根据消息显示，TSMC计划在2022年7月量产3纳米芯片
